ЭКМ - Задание к теме 3 "Контактные явления в полупроводниках. Образование pn-переходов"

Изучив теорию, выполнить следующее задание:

В файле общего доступа (смотрите свою почту gmail!!!) составьте 3 тестовых задания с применением рисунков презентации и их фрагментов. Рекомендую использовать мой базовый файл с рисунками в MS-Visio.

Основные идеи для вопросов:

  • Задать собственную концентрацию носителей и концентрацию акцепторной и донорной примесей (конкретные значения, соотношение между примесями во всех вариантах - больше, меньше, равно). Предложить варианты ответов в виде схематичных рисунков
    • с разным соотношением значений ширины pn-перехода;
    • с разным соотношением концентраций примесей.
  • Задать рисунок кристалла (одно из соотношений между примесями - больше, меньше, равно) и предложить варианты ответов, где заданы значения концентраций носителей заряда и примесей в различных комбинациях.
  • Для отдельно взятой p- или n-области задать  собственную концентрацию носителей и концентрацию примеси. Предложить выбрать вариант ответа:
    • значение концентрации основного носителя;
    • значение концентрации неосновного носителя.

При воплощении собственных идей разрешаю составить только 2 задания.

К странице дисциплины               К странице  темы 3             К теории       К вопросам

 

Эта запись защищена паролем. Введите пароль, чтобы посмотреть комментарии.