ЭКМ - Задание к теме 3 "Контактные явления в полупроводниках. Образование pn-переходов"
Изучив теорию, выполнить следующее задание:
В файле общего доступа (смотрите свою почту gmail!!!) составьте 3 тестовых задания с применением рисунков презентации и их фрагментов. Рекомендую использовать мой базовый в MS-Visio.
Основные идеи для вопросов:
- Задать собственную концентрацию носителей и концентрацию акцепторной и донорной примесей (конкретные значения, соотношение между примесями во всех вариантах - больше, меньше, равно). Предложить варианты ответов в виде схематичных рисунков
- с разным соотношением значений ширины pn-перехода;
- с разным соотношением концентраций примесей.
- Задать рисунок кристалла (одно из соотношений между примесями - больше, меньше, равно) и предложить варианты ответов, где заданы значения концентраций носителей заряда и примесей в различных комбинациях.
- Для отдельно взятой p- или n-области задать собственную концентрацию носителей и концентрацию примеси. Предложить выбрать вариант ответа:
- значение концентрации основного носителя;
- значение концентрации неосновного носителя.
При воплощении собственных идей разрешаю составить только 2 задания.